Generation and annihilation of antiphase domain boundaries in GaAs on Si grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Generation and annihilation of antiphase domain boundaries in GaAs on Si grown by molecular beam epitaxy

Georgakilas, A. / Stoemenos, J. / Tsagaraki, K. / Komninou, P.

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Titel:

Generation and annihilation of antiphase domain boundaries in GaAs on Si grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Georgakilas, A. (Autor:in) / Stoemenos, J. (Autor:in) / Tsagaraki, K. (Autor:in) / Komninou, P. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 8 ; 1908

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

1908 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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