Simulation of lateral Al recoil atoms and damage defects gradients in a GaAs/GaAlAs quantum well created by masked ion implantation: Fid-Bau Portal

Simulation of lateral Al recoil atoms and damage defects gradients in a GaAs/GaAlAs quantum well created by masked ion implantation

Faye, M. M. / Vieu, C. / Laanab, L. / Beauvillian, J.

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Titel:

Simulation of lateral Al recoil atoms and damage defects gradients in a GaAs/GaAlAs quantum well created by masked ion implantation

Beteiligte:

Faye, M. M. (Autor:in) / Vieu, C. (Autor:in) / Laanab, L. (Autor:in) / Beauvillian, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 21 ; 284

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

284 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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