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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Tailored heterointerface formation in InGaAs/InP superlattices by gas source migration-enhanced epitaxy

    Beteiligte:

    Mozume, T. (Autor:in) / Kashima, H. (Autor:in) / Hosorai, K. (Autor:in) / Ogata, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 75 ; 233

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    233 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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