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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Influence of DX Center Structure on Si Modulation -Doping in AlGaAs/GaAs Quantum Wells

    Beteiligte:

    Brunthaler, G. (Autor:in) / Seto, M. (Autor:in) / Stoeger, G. (Autor:in) / Ostermayer, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 641

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    641 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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