Heteroepitaxial growth of InSb on Si(001) surface via Ge buffer layers: Fid-Bau Portal

Heteroepitaxial growth of InSb on Si(001) surface via Ge buffer layers

Mori, M. / Li, D. M. / Yamazaki, M. / Tambo, T. / Ueba, H. / Tatsuyama, C.

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Titel:

Heteroepitaxial growth of InSb on Si(001) surface via Ge buffer layers

Beteiligte:

Mori, M. (Autor:in) / Li, D. M. (Autor:in) / Yamazaki, M. (Autor:in) / Tambo, T. (Autor:in) / Ueba, H. (Autor:in) / Tatsuyama, C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 563-569

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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