Measurements of the energy band offsets of Si~1~-~xGe/Si and Ge~1~-~yC~y/Ge heterojunctions: Fid-Bau Portal

Measurements of the energy band offsets of Si~1~-~xGe/Si and Ge~1~-~yC~y/Ge heterojunctions

Chen, F. / Waite, M. M. / Ismat Shah, S. / Orner, B. A. / Iyer, S. S. / Kolodzey, J.

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Titel:

Measurements of the energy band offsets of Si~1~-~xGe/Si and Ge~1~-~yC~y/Ge heterojunctions

Beteiligte:

Chen, F. (Autor:in) / Waite, M. M. (Autor:in) / Ismat Shah, S. (Autor:in) / Orner, B. A. (Autor:in) / Iyer, S. S. (Autor:in) / Kolodzey, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 615-620

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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