Electrical characteristics of GaN/6H-SiC n-p heterojunctions: Fid-Bau Portal

Electrical characteristics of GaN/6H-SiC n-p heterojunctions

Kuznetsov, N. I. / Gubenco, A. E. / Nikolaev, A. E. / Melnik, Y. V. / Blashenkov, M. N. / Nikitina, I. P. / Dmitriev, V. A.

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Titel:

Electrical characteristics of GaN/6H-SiC n-p heterojunctions

Beteiligte:

Kuznetsov, N. I. (Autor:in) / Gubenco, A. E. (Autor:in) / Nikolaev, A. E. (Autor:in) / Melnik, Y. V. (Autor:in) / Blashenkov, M. N. (Autor:in) / Nikitina, I. P. (Autor:in) / Dmitriev, V. A. (Autor:in) / Camassel, J. / Fricke, K. / Krozer, V.

Erschienen in:

High Temperature Electronics: Materials, Devices and Applications ; 74-78

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 46

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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