2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots: Fid-Bau Portal

2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots

Daudin, B. / Widmann, F. / Feuillet, G. / Adelmann, C. / Samson, Y. / Arlery, M. / Rouviere, J. L.

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Titel:

2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots

Beteiligte:

Daudin, B. (Autor:in) / Widmann, F. (Autor:in) / Feuillet, G. (Autor:in) / Adelmann, C. (Autor:in) / Samson, Y. (Autor:in) / Arlery, M. (Autor:in) / Rouviere, J. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 8-11

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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