Impurity Incorporation During Sublimation Bulk Crystal Growth of 6H- and 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Impurity Incorporation During Sublimation Bulk Crystal Growth of 6H- and 4H-SiC

Ohtani, N. / Katsuno, M. / Takahashi, J. / Yashiro, H. / Kanaya, M. / Shinoyama, S.

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Titel:

Impurity Incorporation During Sublimation Bulk Crystal Growth of 6H- and 4H-SiC

Beteiligte:

Ohtani, N. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Takahashi, J. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Kanaya, M. (Autor:in) / Shinoyama, S. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 49-52

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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