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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Epitaxial Growth of 3C-SiC without Carbonization Process Using 1,3-Disilabutane

    Beteiligte:

    Lee, K.-W. (Autor:in) / Yu, K.-S. (Autor:in) / Bae, J. W. (Autor:in) / Kim, Y. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 175-178

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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