Coulomb interaction between carriers localized in InAs/GaAs quantum dots and on point defects: Fid-Bau Portal

Coulomb interaction between carriers localized in InAs/GaAs quantum dots and on point defects

Sobolev, M. M. / Kovsh, A. R. / Ustinov, V. M. / Egorov, A. Y. / Zhukov, A. E. / Maximov, M. V. / Ledentsov, N. N.

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Titel:

Coulomb interaction between carriers localized in InAs/GaAs quantum dots and on point defects

Beteiligte:

Sobolev, M. M. (Autor:in) / Kovsh, A. R. (Autor:in) / Ustinov, V. M. (Autor:in) / Egorov, A. Y. (Autor:in) / Zhukov, A. E. (Autor:in) / Maximov, M. V. (Autor:in) / Ledentsov, N. N. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

Erschienen in:

Defects in Semiconductors ICDS-19 ; 1619-1624

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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