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    Titel:

    Kinetics of homoepitaxial growth on GaAs(100) studied by two-component Monte Carlo simulation

    Beteiligte:

    Ishii, A. (Autor:in) / Kawamura, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 130-132 ; 403-408

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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