Far Infrared Emission and Population Inversion of Hot Holes in MQW InGaAs/GaAs Heterostructures under Real Space Transfer: Fid-Bau Portal

Far Infrared Emission and Population Inversion of Hot Holes in MQW InGaAs/GaAs Heterostructures under Real Space Transfer

Aleshkin, V. Y. / Andronov, A. A. / Antonov, A. V. / Bekin, N. A. / Gavrilenko, A. V. / Gavrilenko, V. I. / Revin, D. G. / Uskova, E. A. / Zvonkov, B. N. / Zvonkov, N. B.

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Aleshkin, V. Y. / Andronov, A. A. / Antonov, A. V. / Bekin, N. A. / Gavrilenko, A. V. / Gavrilenko, V. I. / Revin, D. G. / Uskova, E. A. / Zvonkov, B. N. / Zvonkov, N. B.

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Titel:

Far Infrared Emission and Population Inversion of Hot Holes in MQW InGaAs/GaAs Heterostructures under Real Space Transfer

Beteiligte:

Aleshkin, V. Y. (Autor:in) / Andronov, A. A. (Autor:in) / Antonov, A. V. (Autor:in) / Bekin, N. A. (Autor:in) / Gavrilenko, A. V. (Autor:in) / Gavrilenko, V. I. (Autor:in) / Revin, D. G. (Autor:in) / Uskova, E. A. (Autor:in) / Zvonkov, B. N. (Autor:in) / Zvonkov, N. B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 297/298 ; 261-264

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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