Effect of Si doping on structural, photoluminescence and electrical properties of GaN: Fid-Bau Portal

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Effect of Si doping on structural, photoluminescence and electrical properties of GaN

Shmidt, N.M. / Lebedev, A.V. / Lundin, W.V. / Pushnyi, B.V. / Ratnikov, V.V. / Shubina, T.V. / Tsatsul'nikov, A.A. / Usikov, A.S. / Pozina, G. / Monemar, B.

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Shmidt, N.M. / Lebedev, A.V. / Lundin, W.V. / Pushnyi, B.V. / Ratnikov, V.V. / Shubina, T.V. / Tsatsul'nikov, A.A. / Usikov, A.S. / Pozina, G. / Monemar, B.

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Titel:

Effect of Si doping on structural, photoluminescence and electrical properties of GaN

Beteiligte:

Shmidt, N.M. (Autor:in) / Lebedev, A.V. (Autor:in) / Lundin, W.V. (Autor:in) / Pushnyi, B.V. (Autor:in) / Ratnikov, V.V. (Autor:in) / Shubina, T.V. (Autor:in) / Tsatsul'nikov, A.A. (Autor:in) / Usikov, A.S. (Autor:in) / Pozina, G. (Autor:in) / Monemar, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 195 - 197

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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