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    Titel:

    Pendeoepitaxy of GaN and InGaN LEDs on SiC

    Beteiligte:

    Kong, H. S. (Autor:in) / Edmond, J. (Autor:in) / Doverspike, K. (Autor:in) / Emerson, D. (Autor:in) / Bulman, G. (Autor:in) / Haberern, K. (Autor:in) / Dieringer, H. (Autor:in) / Slater, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1477-1482

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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