Analysis on the Formation and Elimination of Filamentary and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals: Fid-Bau Portal

Analysis on the Formation and Elimination of Filamentary and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals

Hofmann, D. / Bickermann, M. / Hartung, W. / Winnacker, A.

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Titel:

Analysis on the Formation and Elimination of Filamentary and Planar Voids in Silicon Carbide Bulk Crystals

Beteiligte:

Hofmann, D. (Autor:in) / Bickermann, M. (Autor:in) / Hartung, W. (Autor:in) / Winnacker, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 445-448

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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