Electronic properties of Erbium doped amorphous silicon: Fid-Bau Portal

Electronic properties of Erbium doped amorphous silicon

Kleider, J. P. / Longeaud, C. / Meaudre, R. / Meaudre, M. / Vignoli, S. / Koughia, K. V. / Terukov, E. I. / Konkov, O. I.

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Titel:

Electronic properties of Erbium doped amorphous silicon

Beteiligte:

Kleider, J. P. (Autor:in) / Longeaud, C. (Autor:in) / Meaudre, R. (Autor:in) / Meaudre, M. (Autor:in) / Vignoli, S. (Autor:in) / Koughia, K. V. (Autor:in) / Terukov, E. I. (Autor:in) / Konkov, O. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 81 ; 71 - 73

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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