Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Growth of organic films on passivated semiconductor surfaces: gallium arsenide versus silicon

    Neue Suche nach: Kampen, T. U.
    Neue Suche nach: Salvan, G.
    Neue Suche nach: Tenne, D.
    Neue Suche nach: Scholz, R.
    Neue Suche nach: Zahn, D. R.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Growth of organic films on passivated semiconductor surfaces: gallium arsenide versus silicon

    Neue Suche nach: Kampen, T. U.
    Neue Suche nach: Salvan, G.
    Neue Suche nach: Tenne, D.
    Neue Suche nach: Scholz, R.
    Neue Suche nach: Zahn, D. R.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Growth of organic films on passivated semiconductor surfaces: gallium arsenide versus silicon

    Neue Suche nach: Kampen, T. U.
    Neue Suche nach: Salvan, G.
    Neue Suche nach: Tenne, D.
    Neue Suche nach: Scholz, R.
    Neue Suche nach: Zahn, D. R.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Growth of organic films on passivated semiconductor surfaces: gallium arsenide versus silicon

    Beteiligte:

    Kampen, T. U. (Autor:in) / Salvan, G. (Autor:in) / Tenne, D. (Autor:in) / Scholz, R. (Autor:in) / Zahn, D. R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 175-176 ; 326-331

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2001

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Nucleation and growth of gallium arsenide on silicon (111)

    Alberts, V. / Neethling, J. H. / Vermaak, J. S. | British Library Online Contents | 1994

    Effects of growth interruption upon silicon delta layers in gallium arsenide

    Nawaz, R. / Elliott, M. / Woolf, D. A. | British Library Online Contents | 1998

    A study of tunneling phenomena in gallium-arsenide-aluminum-gallium-arsenide heterostructures

    Lebens, John Andrew | TIBKAT | 1988

    Transient Diffusion of Beryllium and Silicon in Gallium Arsenide

    Haddara, Y. M. / Bravman, J. C. | British Library Online Contents | 1998

    Schottky barrier formation for passivated semiconductor surfaces

    Saiz-Pardo, R. / Rincon, R. / Flores, F. | British Library Online Contents | 1996

    Nach oben