Atomic arrangement of dislocation defects in GaAs by HREM: Fid-Bau Portal

Atomic arrangement of dislocation defects in GaAs by HREM

Yonenaga, I. / Lim, S. H. / Lee, C. W. / Shindo, D.

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Titel:

Atomic arrangement of dislocation defects in GaAs by HREM

Beteiligte:

Yonenaga, I. (Autor:in) / Lim, S. H. (Autor:in) / Lee, C. W. (Autor:in) / Shindo, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- A ; 309-310 ; 125-128

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5093

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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