Weak localization in SiGe quantum wells doped with boron: Fid-Bau Portal

Weak localization in SiGe quantum wells doped with boron

Zobl, R. / Gornik, E. / Altukhov, I. V. / Zhdanova, N. G. / Landsberg, E. G. / Korolev, K. A. / Kagan, M. S.

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Titel:

Weak localization in SiGe quantum wells doped with boron

Beteiligte:

Zobl, R. (Autor:in) / Gornik, E. (Autor:in) / Altukhov, I. V. (Autor:in) / Zhdanova, N. G. (Autor:in) / Landsberg, E. G. (Autor:in) / Korolev, K. A. (Autor:in) / Kagan, M. S. (Autor:in) / Asmontas, S. / Dargys, A. / Roskos, H. G.

Erschienen in:

Ultrafast Phenomena in Semiconductors 2001 ; 35-38

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 384/385

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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