Deep levels in silicon carbide Schottky diodes: Fid-Bau Portal

Deep levels in silicon carbide Schottky diodes

Castaldini, A. / Cavallini, A. / Polenta, L. / Nava, F. / Canali, C. / Lanzieri, C.

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Titel:

Deep levels in silicon carbide Schottky diodes

Beteiligte:

Castaldini, A. (Autor:in) / Cavallini, A. (Autor:in) / Polenta, L. (Autor:in) / Nava, F. (Autor:in) / Canali, C. (Autor:in) / Lanzieri, C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 187 ; 248-252

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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