Morphological study of GaN layers grown on porous silicon: Fid-Bau Portal

Morphological study of GaN layers grown on porous silicon

Missaoui, A. / Ezzaouia, H. / Bessais, B. / Boufaden, T. / Matoussi, A. / Bouaicha, M. / El Jani, B.

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Titel:

Morphological study of GaN layers grown on porous silicon

Beteiligte:

Missaoui, A. (Autor:in) / Ezzaouia, H. (Autor:in) / Bessais, B. (Autor:in) / Boufaden, T. (Autor:in) / Matoussi, A. (Autor:in) / Bouaicha, M. (Autor:in) / El Jani, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 102 - 106

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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