First AlGaN/GaN MOSFET with photoanodic gate dielectric: Fid-Bau Portal

First AlGaN/GaN MOSFET with photoanodic gate dielectric

Mistele, D. / Rotter, T. / Rover, K. S. / Paprotta, S. / Seyboth, M. / Schwegler, V. / Fedler, F. / Klausing, H. / Semchinova, O. K. / Stemmer, J.

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Titel:

First AlGaN/GaN MOSFET with photoanodic gate dielectric

Beteiligte:

Mistele, D. (Autor:in) / Rotter, T. (Autor:in) / Rover, K. S. (Autor:in) / Paprotta, S. (Autor:in) / Seyboth, M. (Autor:in) / Schwegler, V. (Autor:in) / Fedler, F. (Autor:in) / Klausing, H. (Autor:in) / Semchinova, O. K. (Autor:in) / Stemmer, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 107 - 111

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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