Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers: Fid-Bau Portal

Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers

Pereira, S. / Correia, M. R. / Pereira, E. / O'Donnell, K. P. / Martin, R. W. / White, M. E. / Alves, E. / Sequeira, A. D. / Franco, N.

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Titel:

Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers

Beteiligte:

Pereira, S. (Autor:in) / Correia, M. R. (Autor:in) / Pereira, E. (Autor:in) / O'Donnell, K. P. (Autor:in) / Martin, R. W. (Autor:in) / White, M. E. (Autor:in) / Alves, E. (Autor:in) / Sequeira, A. D. (Autor:in) / Franco, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 163 - 167

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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