Transient effects noted during Cs+ depth profile analysis of Si at high incidence angles: Fid-Bau Portal

Transient effects noted during Cs+ depth profile analysis of Si at high incidence angles

van der Heide, P. A. / Bennett, J.

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Titel:

Transient effects noted during Cs+ depth profile analysis of Si at high incidence angles

Beteiligte:

van der Heide, P. A. (Autor:in) / Bennett, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 203-204 ; 306-309

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

van der Heide, P. A. / Lim, M. S. / Perry, S. S. et al. | British Library Online Contents | 2003

Angles of incidence

Robbins, Mark | TIBKAT | 1992

Briefly Noted

Taylor & Francis Verlag | 1987

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Taylor & Francis Verlag | 2000

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