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Microscopic mechanism of interfacial reaction during Si oxidation

Akiyama, T. / Kageshima, H.

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Titel:

Microscopic mechanism of interfacial reaction during Si oxidation

Beteiligte:

Akiyama, T. (Autor:in) / Kageshima, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 270-274

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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