Selective growth of Ge quantum dots on chemically prepared SiO2/Si(001) surfaces: Fid-Bau Portal

Selective growth of Ge quantum dots on chemically prepared SiO2/Si(001) surfaces

Nguyen, L. H. / Le Thanh, V. / Debarre, D. / Yam, V. / Bouchier, D.

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Titel:

Selective growth of Ge quantum dots on chemically prepared SiO2/Si(001) surfaces

Beteiligte:

Nguyen, L. H. (Autor:in) / Le Thanh, V. (Autor:in) / Debarre, D. (Autor:in) / Yam, V. (Autor:in) / Bouchier, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 101 ; 199-203

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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