Defect Influence on the Electrical Properties of 4H-SiC Schottky Diodes: Fid-Bau Portal

Defect Influence on the Electrical Properties of 4H-SiC Schottky Diodes

Scaltrito, L. / Celasco, E. / Porro, S. / Ferrero, S. / Giorgis, F. / Pirri, C. F. / Perrone, D. / Meotto, U. / Mandracci, P. / Richieri, G.

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Scaltrito, L. / Celasco, E. / Porro, S. / Ferrero, S. / Giorgis, F. / Pirri, C. F. / Perrone, D. / Meotto, U. / Mandracci, P. / Richieri, G.

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Titel:

Defect Influence on the Electrical Properties of 4H-SiC Schottky Diodes

Beteiligte:

Scaltrito, L. (Autor:in) / Celasco, E. (Autor:in) / Porro, S. (Autor:in) / Ferrero, S. (Autor:in) / Giorgis, F. (Autor:in) / Pirri, C. F. (Autor:in) / Perrone, D. (Autor:in) / Meotto, U. (Autor:in) / Mandracci, P. (Autor:in) / Richieri, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1081-1084

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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