A new method to characterize dopant profiles in NMOSFETs using conventional transmission electron microscopy: Fid-Bau Portal

A new method to characterize dopant profiles in NMOSFETs using conventional transmission electron microscopy

Kawamura, K. / Ikeda, K. / Terauchi, M.

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Titel:

A new method to characterize dopant profiles in NMOSFETs using conventional transmission electron microscopy

Beteiligte:

Kawamura, K. (Autor:in) / Ikeda, K. (Autor:in) / Terauchi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 237 ; 617-622

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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