A Study of 6H-Seeded 4H-SiC Bulk Growth by PVT: Fid-Bau Portal

A Study of 6H-Seeded 4H-SiC Bulk Growth by PVT

Tupitsyn, E. Y. / Arjunan, A. / Bondokov, R. T. / Kennedy, R. M. / Sudarshan, T. S.

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Titel:

A Study of 6H-Seeded 4H-SiC Bulk Growth by PVT

Beteiligte:

Tupitsyn, E. Y. (Autor:in) / Arjunan, A. (Autor:in) / Bondokov, R. T. (Autor:in) / Kennedy, R. M. (Autor:in) / Sudarshan, T. S. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 21-24

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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