Optical Studies of Nonequilibrium Carrier Dynamics in Highly Excited 4H-SiC Epitaxial Layers: Fid-Bau Portal

Optical Studies of Nonequilibrium Carrier Dynamics in Highly Excited 4H-SiC Epitaxial Layers

Neimontas, K. / Aleksiejunas, R. / Sudzius, M. / Jarasiunas, K. / Bergman, J. P.

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Titel:

Optical Studies of Nonequilibrium Carrier Dynamics in Highly Excited 4H-SiC Epitaxial Layers

Beteiligte:

Neimontas, K. (Autor:in) / Aleksiejunas, R. (Autor:in) / Sudzius, M. (Autor:in) / Jarasiunas, K. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 413-416

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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