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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Theoretical Investigations of Complexes of p-Type Dopants and Carbon Interstitial in SiC: Bistable, Negative-U Defects

    Beteiligte:

    Gali, A. (Autor:in) / Hornos, T. (Autor:in) / Deak, P. (Autor:in) / Son, N. T. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Choyke, W. J. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 519-522

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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