Incorporation of SiO2 for the band alignment control of Gd2O3/n-GaAs(001) structure: Fid-Bau Portal

Incorporation of SiO2 for the band alignment control of Gd2O3/n-GaAs(001) structure

Yang, J. K. / Park, H. H.

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Titel:

Incorporation of SiO2 for the band alignment control of Gd2O3/n-GaAs(001) structure

Beteiligte:

Yang, J. K. (Autor:in) / Park, H. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 244 ; 293-296

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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