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    Titel:

    Atomic-level simulation of epitaxial recrystallization and phase transformation in SiC

    Beteiligte:

    Gao, F. (Autor:in) / Devanathan, R. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Posselt, M. (Autor:in) / Weber, W. J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 21 ; 1420-1426

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0884-2914

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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