Electronic structure of free-standing InP and InAs nanowires: Fid-Bau Portal

Electronic structure of free-standing InP and InAs nanowires

Lassen, B. / Willatzen, M. / Melnik, R. / Voon, L. C. L. Y.

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Titel:

Electronic structure of free-standing InP and InAs nanowires

Beteiligte:

Lassen, B. (Autor:in) / Willatzen, M. (Autor:in) / Melnik, R. (Autor:in) / Voon, L. C. L. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 21 ; 2927-2935

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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