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Gas Fed Top-Seeded Solution Growth of Silicon Carbide

Chaussende, D. / Pons, M. / Madar, R.

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Titel:

Gas Fed Top-Seeded Solution Growth of Silicon Carbide

Beteiligte:

Chaussende, D. (Autor:in) / Pons, M. (Autor:in) / Madar, R. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 111-114

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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