Trapping Recombination Process and Persistent Photoconductivity in Semi-Insulating 4H SiC: Fid-Bau Portal

Trapping Recombination Process and Persistent Photoconductivity in Semi-Insulating 4H SiC

Kalabukhova, E. N. / Lukin, S. N. / Savchenko, D. V. / Sitnikov, A. A. / Mitchel, W. C. / Smith, S. R. / Greulich-Weber, S.

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Titel:

Trapping Recombination Process and Persistent Photoconductivity in Semi-Insulating 4H SiC

Beteiligte:

Kalabukhova, E. N. (Autor:in) / Lukin, S. N. (Autor:in) / Savchenko, D. V. (Autor:in) / Sitnikov, A. A. (Autor:in) / Mitchel, W. C. (Autor:in) / Smith, S. R. (Autor:in) / Greulich-Weber, S. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 563-566

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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