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Etching of SiC by energetic F2: Molecular dynamics simulation

Gou, F. / Liang, M. C. / Chen, Z. / Qian, Q.

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Titel:

Etching of SiC by energetic F2: Molecular dynamics simulation

Beteiligte:

Gou, F. (Autor:in) / Liang, M. C. (Autor:in) / Chen, Z. (Autor:in) / Qian, Q. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 8743-8748

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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