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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Mechanism of Orientation Selection for the Growth Of (111) Twin Boundary Free 3C-SiC Single Crystals on Hexagonal Basis

    Beteiligte:

    Latu-Romain, L. (Autor:in) / Chaussende, D. (Autor:in) / Rapenne, L. (Autor:in) / Pons, M. (Autor:in) / Madar, R. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 199-202

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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