XRD Characterization of the 6H-SiC Single Crystal Grown from Si-C-Ti Ternary Solution: Fid-Bau Portal

XRD Characterization of the 6H-SiC Single Crystal Grown from Si-C-Ti Ternary Solution

Yashiro, N. / Kusunoki, K. / Kamei, K. / Yauchi, A.

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Titel:

XRD Characterization of the 6H-SiC Single Crystal Grown from Si-C-Ti Ternary Solution

Beteiligte:

Yashiro, N. (Autor:in) / Kusunoki, K. (Autor:in) / Kamei, K. (Autor:in) / Yauchi, A. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 303-306

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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