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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Investigation of defect structure of InGaNAsSb/GaAs quantum wells

    Beteiligte:

    Borkovska, L. (Autor:in) / Korsunska, N. (Autor:in) / Kladko, V. (Autor:in) / Kryshtab, T. (Autor:in) / Kushnirenko, V. (Autor:in) / Slobodyan, M. (Autor:in) / Yefanov, O. (Autor:in) / Venger, Y. (Autor:in) / Johnson, S. (Autor:in) / Sadofyev, Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 27 ; 1038-1042

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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