An Ultra Closely p-Stacked Organic Semiconductor for High Performance Field-Effect Transistors: Fid-Bau Portal

An Ultra Closely p-Stacked Organic Semiconductor for High Performance Field-Effect Transistors

Li, L. / Tang, Q. / Li, H. / Yang, X. / Hu, W. / Song, Y. / Shuai, Z. / Xu, W. / Liu, Y. / Zhu, D.

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Titel:

An Ultra Closely p-Stacked Organic Semiconductor for High Performance Field-Effect Transistors

Beteiligte:

Li, L. (Autor:in) / Tang, Q. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Yang, X. (Autor:in) / Hu, W. (Autor:in) / Song, Y. (Autor:in) / Shuai, Z. (Autor:in) / Xu, W. (Autor:in) / Liu, Y. (Autor:in) / Zhu, D. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 19 ; 2613-2617

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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