Temperature Dependence of Relaxation in AlGaN/GaN Heterostructures: Fid-Bau Portal

Temperature Dependence of Relaxation in AlGaN/GaN Heterostructures

Jiang, Z. S. / Zhang, W. / Ji, Q. / Xu, J. / Chen, D. J. / Shen, B. / Wu, X. S. / Zhang, A. M. / Zhang, K. X. / Yin, S. L.

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Titel:

Temperature Dependence of Relaxation in AlGaN/GaN Heterostructures

Beteiligte:

Jiang, Z. S. (Autor:in) / Zhang, W. (Autor:in) / Ji, Q. (Autor:in) / Xu, J. (Autor:in) / Chen, D. J. (Autor:in) / Shen, B. (Autor:in) / Wu, X. S. (Autor:in) / Zhang, A. M. (Autor:in) / Zhang, K. X. (Autor:in) / Yin, S. L. (Autor:in)

Erschienen in:

SURFACE REVIEW AND LETTERS ; 14 ; 837-840

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0218-625X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 530.417

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