Synthesis of GaN nanorods by ammoniating Ga2O3 films on TiO2 (rutile) layer deposited on Si(111) substrates: Fid-Bau Portal

Synthesis of GaN nanorods by ammoniating Ga2O3 films on TiO2 (rutile) layer deposited on Si(111) substrates

Sun, L. / Xue, C. / Sun, C. / Ai, Y. / Zhuang, H. / Wang, F. / Chen, J. / Li, H. / Yang, Z. / Qin, L.

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Titel:

Synthesis of GaN nanorods by ammoniating Ga2O3 films on TiO2 (rutile) layer deposited on Si(111) substrates

Beteiligte:

Sun, L. (Autor:in) / Xue, C. (Autor:in) / Sun, C. (Autor:in) / Ai, Y. (Autor:in) / Zhuang, H. (Autor:in) / Wang, F. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Yang, Z. (Autor:in) / Qin, L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 61 ; 5220-5222

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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