Self-assembled InAs island formation on GaAs (110) by metalorganic vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Self-assembled InAs island formation on GaAs (110) by metalorganic vapor phase epitaxy

Aierken, A. / Hakkarainen, T. / Sopanen, M. / Riikonen, J. / Sormunen, J. / Mattila, M. / Lipsanen, H.

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Titel:

Self-assembled InAs island formation on GaAs (110) by metalorganic vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Aierken, A. (Autor:in) / Hakkarainen, T. (Autor:in) / Sopanen, M. (Autor:in) / Riikonen, J. (Autor:in) / Sormunen, J. (Autor:in) / Mattila, M. (Autor:in) / Lipsanen, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 2072-2076

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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