Ge~0~.~9~8Si~0~.~0~2 crystal grown by the travelling heating method using axial magnetic field and rotating crucible: Fid-Bau Portal

Ge~0~.~9~8Si~0~.~0~2 crystal grown by the travelling heating method using axial magnetic field and rotating crucible

Jaber, T.J. / Labrie, D. / Saghir, M.Z.

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Titel:

Ge~0~.~9~8Si~0~.~0~2 crystal grown by the travelling heating method using axial magnetic field and rotating crucible

Beteiligte:

Jaber, T.J. (Autor:in) / Labrie, D. (Autor:in) / Saghir, M.Z. (Autor:in)

Erschienen in:

INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS AND PRODUCT TECHNOLOGY ; 32 ; 56-70

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

15 pages

ISSN:

0268-1900

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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