Deep Levels Responsible for Semi-Insulating Behavior in Vanadium-Doped 4H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Deep Levels Responsible for Semi-Insulating Behavior in Vanadium-Doped 4H-SiC Substrates

Son, N.T. / Carlsson, P. / Gallstrom, A. / Magnusson, B. / Janzen, E.

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Titel:

Deep Levels Responsible for Semi-Insulating Behavior in Vanadium-Doped 4H-SiC Substrates

Beteiligte:

Son, N.T. (Autor:in) / Carlsson, P. (Autor:in) / Gallstrom, A. (Autor:in) / Magnusson, B. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 401-404

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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