Doping Concentration Optimization for Ultra-Low-Loss 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diode (Super-SBD): Fid-Bau Portal

Doping Concentration Optimization for Ultra-Low-Loss 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diode (Super-SBD)

Ota, C. / Nishio, J. / Takao, K. / Hatakeyama, T. / Shinohe, T. / Kojima, K. / Nishizawa, S. / Ohashi, H.

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Titel:

Doping Concentration Optimization for Ultra-Low-Loss 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diode (Super-SBD)

Beteiligte:

Ota, C. (Autor:in) / Nishio, J. (Autor:in) / Takao, K. (Autor:in) / Hatakeyama, T. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Nishizawa, S. (Autor:in) / Ohashi, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 655-658

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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