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    Dokumentinformationen
    Titel:

    High-Breakdown-Voltage GaN Vertical Schottky Barrier Diodes with Field Plate Structure

    Beteiligte:

    Horii, T. (Autor:in) / Miyazaki, T. (Autor:in) / Saito, Y. (Autor:in) / Hashimoto, S. (Autor:in) / Tanabe, T. (Autor:in) / Kiyama, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 963-966

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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