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    A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time

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    Titel:

    A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time

    Beteiligte:

    Yinye, Y. (Autor:in) / Quan, X. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 44 ; 3877-3882

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0022-2461

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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